JPC産業用LED応用研究会「2014年7月定例会」 合同研究会

テーマ「窒化物半導体と関連デバイス」

概要

半導体のpn接合は約75年前、Bell研究所で発見されました(R. S. Ohl, 1939,1940)。このとき既に光起電力効果が見出されており、この技術はその後の太陽電池(G. L. Pearson, 1954)、トランジスター(W. B. Shockley, J. Bardeen, W. H. Brattain, 1958)の発明へと繋がります。一方、GaN系窒化物半導体でpn接合が実現したのは1989年のことでした(H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu and I. Akasaki: Jpn. J. Appl. Phys., Vol.28, L2112 (1989))。今年はこのGaN-pn接合の実現から25周年になります。このGaN系pn接合を用いた青色発光ダイオード及び青色半導体レーザーの先駆的研究をされた赤﨑勇先生は、この度日本学士院より恩賜賞並びに日本学士院賞を受賞されました。この御受賞は、今回の合同研究会における両委員会・研究会にとっても大変喜ばしくまた励みになるニュースであり、心よりお祝い申し上げたいと思います。

今回の研究会では、「窒化物半導体と関連デバイス」をテーマに、最近の研究開発について紹介していただくことを企画しました。この材料系では、紫外から赤色に至る広い波長領域でデバイスが実現しています。また青色発光デバイスを中心に実用化開発は著しく進展している一方で、効率ドループ問題等、まだ解決しているとは言えない課題もあります。これらの話題を含めて、第一線で御活躍されている方々に御講演をお願い致しました。貴重な御研究を御紹介頂く講演者の皆様に厚く御礼申し上げます。

(企画担当)
JPC産業用LED応用研究会:青崎耕(旭硝子)
光電相互変換第125委員会:原和彦(静岡大学)
波多腰玄一(東芝)

日時

2014年7月11日(金)13:00-17:00

場所

名城大学名駅サテライト(MSAT)多目的室

アクセス

〒450-0002 名古屋市中村区名駅3-26-8 KDX名古屋駅前ビル13階
電話番号:052-551-1666  FAX番号:052-551-1660
http://www.meijo-u.ac.jp/about/campus/msat.html

プログラム

13:15-13:55 (1) 最近のGaN系材料・デバイスの研究開発動向
天野浩(名古屋大学)

13:55-14:35 (2) 赤色LEDとそのInGaN発光層のMOVPE成長
大川和宏(東京理科大学)

14:35-15:15 (3) モスアイ光取り出し構造を有する青色LED
上山智(名城大学)

15:15-15:30 休憩

15:30-16:10 (4) 窒化物半導体におけるABCモデルの時間分解PL測定による直接検証
山口敦史1, 真鍋仁志1,河上航平1,後藤裕輝2,砂川晴夫2,松枝敏晴2,岡田愛姫子3,篠原秀敏4,後藤博史4,水野潤3,碓井彰2(1金沢工業大学,2古河機械金属,3早稲田大学,4東芝機械)

16:10-16:50 (5) AlGaN系UVC LEDの進展と今後の展望
平山秀樹(理化学研究所)

申し込み

御氏名、ご所属などを事務局までe-mailまたはFAX等でご連絡ください。

料金

会員無料

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