活動

概要

半導体のpn接合は約75年前、Bell研究所で発見されました（R. S. Ohl, 1939,1940）。このとき既に光起電力効果が見出されており、この技術はその後の太陽電池（G. L. Pearson, 1954）、トランジスター（W. B. Shockley, J. Bardeen, W. H. Brattain, 1958）の発明へと繋がります。一方、GaN系窒化物半導体でpn接合が実現したのは1989年のことでした（H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu and I. Akasaki: Jpn. J. Appl. Phys., Vol.28, L2112 (1989)）。今年はこのGaN-pn接合の実現から25周年になります。このGaN系pn接合を用いた青色発光ダイオード及び青色半導体レーザーの先駆的研究をされた赤﨑勇先生は、この度日本学士院より恩賜賞並びに日本学士院賞を受賞されました。この御受賞は、今回の合同研究会における両委員会・研究会にとっても大変喜ばしくまた励みになるニュースであり、心よりお祝い申し上げたいと思います。

今回の研究会では、「窒化物半導体と関連デバイス」をテーマに、最近の研究開発について紹介していただくことを企画しました。この材料系では、紫外から赤色に至る広い波長領域でデバイスが実現しています。また青色発光デバイスを中心に実用化開発は著しく進展している一方で、効率ドループ問題等、まだ解決しているとは言えない課題もあります。これらの話題を含めて、第一線で御活躍されている方々に御講演をお願い致しました。貴重な御研究を御紹介頂く講演者の皆様に厚く御礼申し上げます。

(企画担当)
ＪＰＣ産業用LED応用研究会：青崎耕（旭硝子）
光電相互変換第125委員会：原和彦（静岡大学）
波多腰玄一（東芝）